1月12日的时候，日本媒体报道了一则消息：世界领先的192层的3D NAND闪存芯片，我国企业长江存储即将完成它的试产工作，领先全球。
紧接着多方媒体补充到，走到这一步，长江存储已经烧光了1550亿，那么3D NAND闪存芯片到底是什么，长江存储又是哪家企业
3D NAND闪存芯片：新型闪存，突破固态硬盘的限制
3D NAND是一种新兴的闪存类型，最早的一款是由由英特尔和镁光的合资企业所研发的，通过把内存颗粒堆叠在一起来，能够解决2D或者平面NAND闪存带来的内存极限以及价格昂贵的限制。
固态硬盘中安装有存储芯片，容量越高的芯片可以增加硬盘的总体存储空间，但是也拉高了固态硬盘的成本，同时更高的成本也拉高了硬盘的售价，因此固态的售价一直都很高。
因此同样的空间下，如何开发出更多的存储空间成了一个新的问题，而3D NAND闪存芯片就是英特尔给出的最佳的解决方案，也就是一层堆满时候再堆第二层，最早的3D NAND闪存芯片可以堆32层。
而此前的固态硬盘的存储芯片只能储存一层的数据，3D NAND闪存芯片基本就是以更小的空间、更高的存储容、更低的成本和能耗以及更快的性能，更适应企业的需求。
长江存储是怎样的一个企业：2014年3D NAND闪存项目正式启动
尽管长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，但是2014年的时候，公司就已经开启了3D NAND闪存的研究，这个总部位于“江城”武汉的企业，始终在3D NAND闪存芯片这个领域里攻坚。
长江存储是一家集3D NAND闪存设计、制造于一体化的IDM集成电路企业，此外，公司还提供完整的消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，为计算机、服务器及数据中心等服务。
我国的首款3D NAND闪存芯片发布于2017年10月，是长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，设计制造的，第一次填补了我国3D NAND闪存芯片历史上的空白，十分励志。
2019年9月，长江储存已经实现了64层TLC 3D NAND闪存正式量产，同时芯片架构也是自主研发的Xtacking架构，基本实现了纯国产，公司表示一直致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。
长江存储进一步追赶上英特尔的步伐，直接来个128层
2020年4月，业界首款128层QLC闪存芯片X2-6070问世，这款芯片拥有业界最高的IO速度，最高的存储密度和最高的单颗容量，而它正是长江存储官宣的128层TLC/QLC两款产品中的一款。
长江存储已经默默领先了世界，当前英特尔依旧在128层3D NAND闪存的研究道路上，被长江存储甩了一条街，实现这样的跨越，长江存储仅仅用了半年左右的时间，速度惊人。
据长江存储官方资料介绍，截至目前长江存储已在武汉、上海、北京等地设有研发中心，全球共有员工6000余人，其中资深研发工程师约2200人，2021年又在突破192层的3D NAND闪存。
回望长江存储的发展历程，2017年推出我国首款3D NAND闪存，到了2019年第二季度才实现量产，可是在2019年第三季度就已经实现了64层3D NAND闪存的量产，真是一发不可收拾。
最后尽管长江存储没有公布相关的192层的3D NAND闪存的信息，我们就默默等待他的好消息吧。