中科院5nm光刻技术，突破ASML垄断？看研发者是怎么说的

          众所周知，今年7月份的时候，网上传出一则重大消息，那就是中科院发布了一篇文章《超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列》，这篇文章介绍了中科院团队研发的一种新型的5nm超高精度激光光刻加工方法。 于是网友们沸腾了，把它与5nm光刻机联系起来，说中国有了5nm光刻技术，打破了ASML的封锁，还有什么弯道超车，不需要极紫外钱也能实现5nm等等。

但当时，中科院没有对这些传闻做太多的回应，但在近日，该项目的研发者之一，中科院研究员、博士生导师刘前面对媒体采访时表示，这是一个误读，这一技术与极紫外光刻机技术是两回事。 我们知道芯片的制造过程，是先通过激光把芯片设计图写到光掩膜板上，再通过光刻机，把光掩膜板上的电路图投射到涂有光刻胶的硅晶圆表面，形成电路图。 每一颗芯片，都需要一套光掩膜板，可以说掩膜板就是光刻机在制造芯片时的母板，也是光刻工序前的一项工作，更是芯片制造过程中必不可少的一个的一个步骤。

而中科院研发的5nm超高精度激光光刻加工方法，它的主要用途是制作光掩模。而EUV光刻机是设备本身制造出极紫光线，然后再利用极紫光线投射光掩膜板，进行光刻。 可以说两种技术完全两码事，用途完全不一样，类型也完全不一样，两者的关系是芯片制造过程中的前后工序，所以所谓的突破ASML的封锁真的就是个误会。

当然，目前国内制作的掩模版主要是中低端的，装备材料和技术大多来自国外，而中科院的这一技术，有望提高国内的技术水平。 不过要注意的是，目前这项技术更多的还是处于理论上的，要实现真正的商用，还有很大一段距离，虽然意义非凡，但大家且慢激动，更不需要沸腾。