据悉，该项研究成果首度提出利用“半金属铋（Bi）”作为二维材料的接触电极，可大幅降低电阻并提高电流，使其效能几乎与硅一致，有助实现半导体1nm以下制程挑战。

在研究过程中，台积电技术研究部门将铋(Bi)沉积制程进行优化，最终取得了这项突破性的研究成果。

当前芯片的主流材料是硅，但可惜这种材料制作芯片存在物理极限，因此能够取代硅并且提升芯片进程的新材料，近年来一直是科学界探索的焦点。

让台积电以及各国都没想到的是：中国掌握着1nm芯片制作原材料的命脉——金属铋在中国的储量，占全球的75％，达到24万吨。而铋存储量基础占据全球69%，达到47万吨。掌握着如此份额的原材料，使用铋为原材料所制成的芯片显然绕不开中国，而中国在全球芯片产业链之中的地位，也因此预计将获得极大的提升。

目前，全球的铋储量非常稀少，存在形式也比较特殊，一般以游离金属、以及矿物的形式存在。铋金属很难与其他金属分离，这大概就是它非常稀少的原因。

据数据显示，中国最大的铋储量省份是湖南，单它一个省份便占了全球储量的50%，其次是广东和江西。

全新技术或材料的应用，以往的市场格局有望被打破。不过，虽然中国掌握了铋资源，但在未来，还需要继续攻克芯片技术，不断提升科技实力，才能占据优势、扎稳脚跟，在芯片的研制上不再被“卡脖子”。

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