如今，全球很多国家对于对中国科技的进步颇为认可。而且我国在不少行业中，已经成生产者，慢慢变成开拓者，但是仍有许多行业，还需要时间去追逐，目前的电子产品，核心技术基本上都是芯片，此问题也是压在我国的心口巨石。随着国内高科技公司逐渐更多，目前华为海思在芯片设计已经做到世界领先，可是芯片制造确实有很大困难需要攻关
因为美国不甘心在5G方面被中国超越，它想要确保自己是世界科技的领导者，而且这也动了美国的大蛋糕，于是美国便费尽心思想要给中国企业找麻烦。美国的芯片禁令，使得中国“芯”层层受阻，影响很大。不仅仅是手机这一产业，芯片的整个产业链也是跟着震动。
若是打算解决问题。那便需要自主研发创新。好在没让我们久等，中科大光量子芯片领域有了相当可观的进展，这也是其他国家万万没料到的，国产芯片一下子就看到了逆转的时机，这里要说的是，其实对于光量子芯片的自主研发，中科大很早就立项了，在2018年以后也是一路高歌猛进，成果喜人，新专利不断。
近段时间，在中科大在郭光灿院士的领导下，发布研发的学术成果，中国光量子芯片进展是突飞猛进，一日千里，有了里程碑进展，在其发表的论文中显示，中国可以完成光子与霍尔效应一块结合，并且拓扑绝缘体芯片之中可以完全意义上完成量子干涉。这一项成果也是美国万万没料到，要是这一项技术可以用于芯片研发之中，那就表明未来芯片的生产不会再有光刻机“卡脖子”的情况。
原先中国芯片为什么会被限制，那便是芯片生产设备光刻机我们没有掌握核心技术，使得高端芯片只有图纸，无法生产。单数随着光量子芯片的突破，已经不受光刻机的影响了。光因为光量子芯片要比传统芯片性能优越一大截，还不需要光刻机就能够实现生产。众所周知，现在市场上最顶尖的是5nm芯片，但是5nm的技术只有三星还有台积电，而且这两家还都听命于美国，所以就形成了市场垄断。
可是各位有所不知，光刻机其实是存在一定局限性的，若是想将芯片性能提高，便是要将制程进行不算缩短。不过光刻机物理极限是nm也就是说最多是这一单位内提升，若是到达极限那便会制约发展，可是光量子芯片却有所不同，量子是更小的单位。并且光量子芯片便是以光作为载体，随后采取微纳工艺对于芯片制作生产。这一技术的成功，标志着中国或是下一个芯片时代的引领者。
能够想到，光刻机进入瓶颈之后，那便彻底会被淘汰，此时就是光量子技术引领世界的时候，伴随国内光量子技术陆续突破，世界上很多国家想要得到这一技术。
美国就是打头阵的，自从光量子芯片成果公布以后，美国就对这项技术“垂涎三尺”，提议我国应该分享这项技术成果，一点没有想起去年的芯片制裁，脸皮是真的厚，虽说这项光量子技术上有了突破性成果，但是距离真正量产还需时间才行，相信过不了多久，中国便能够靠光量子芯片的技术打破困局，再度引领世界。
